FDN372S

FDN372, FDN372S

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDN372S
Корпус микросхемы
Корпус
3-SSOT, SuperSOT-3
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<460 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
630 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<40 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
8.1 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate