FDMS8670AS

FDMS8670, FDMS8670AS, FDMS8670S

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDMS8670ASFDMS8670S
Корпус микросхемы
Корпус
8-PQFN, Power56
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.615 нФVds = 15V4 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<23 А<20 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3 мОмId, Vgs = 23A, 10V<3.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
55 нCVgs = 10V73 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate