FDI33N25TU

FDI33N25, FDI33N25TU

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDI33N25TU
Корпус микросхемы
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<235 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.135 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<250 В
Постоянный ток стока
IDSS
<33 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<94 мОмId, Vgs = 16.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UniFET™
Заряд затвора
QG
48 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard