FDG316

FDG316, FDG316P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDG316P
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<480 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
165 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<190 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
5 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate