На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDD6N50FTF | FDD6N50FTM | FDD6N50TF | FDD6N50TM | FDD6N50TM_F085 | FDD6N50TM_WS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <89 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 960 пФVds = 25V | 960 пФVds = 25V | 940 пФVds = 25V | 940 пФVds = 25V | 940 пФVds = 25V | 940 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <5.5 А | <5.5 А | <6 А | <6 А | <6 А | <6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.15 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V | <1.15 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V | <900 мОмId, Vgs = 3A, 10V | <900 мОмId, Vgs = 3A, 10V | <900 мОмId, Vgs = 3A, 10V | <900 мОмId, Vgs = 3A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | UniFET™ | |||||
Заряд затвора | QG | 19.8 нCVgs = 10V | 19.8 нCVgs = 10V | 16.6 нCVgs = 10V | 16.6 нCVgs = 10V | 16.6 нCVgs = 10V | 16.6 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||