На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDD6680A | FDD6680AS | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.3 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.425 нФVds = 15V | 1.2 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <14 А | <55 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <9.5 мОмId, Vgs = 14A, 10V | <10.5 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 5V | 29 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |