На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDD6670A | FDD6670AL | FDD6670AS | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <1.3 Вт | <1.6 Вт | <1.3 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.755 нФVds = 15V | 3.845 нФVds = 15V | 1.58 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <15 А | <84 А | <76 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <8 мОмId, Vgs = 13.8A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | ||
Заряд затвора | QG | 22 нCVgs = 5V | 56 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate |