На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDD5N50FTF_WS | FDD5N50FTM_WS | FDD5N50TF_WS | FDD5N50TM_WS | FDD5N50UTF_WS | FDD5N50UTM_WS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <40 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 650 пФVds = 25V | 650 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 640 пФVds = 25V | 650 пФVds = 25V | 650 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.5 А | <3.5 А | <4 А | <4 А | <3 А | <3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.55 ОмId, Vgs = 1.75A, 10V | <1.55 ОмId, Vgs = 1.75A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 2A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 2A, 10V | <2 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <2 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UltraFRFET™ | UltraFRFET™ |
Заряд затвора | QG | 15 нCVgs = 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||