На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDC658AP | FDC658P | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SuperSOT-6 | 6-SSOT, SuperSOT-6 |
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <800 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 470 пФVds = 15V | 750 пФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <4 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 4A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | |
Заряд затвора | QG | 8.1 нCVgs = 5V | 12 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |