FDC365

FDC365, FDC365P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDC365P
Корпус микросхемы
Корпус
6-SSOT, SuperSOT-6
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<800 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
705 пФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<35 В
Постоянный ток стока
IDSS
<4.3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<55 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
15 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate