FDC3512_F095

FDC3512, FDC3512_F095

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDC3512_F095
Корпус микросхемы
Корпус
6-SSOT, SuperSOT-6
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<800 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
634 пФVds = 40V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<80 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<77 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
18 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate