На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDB8444_F085 | FDB8444TS | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab), D²Pak, TO-263 (4 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <167 Вт | <181 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.035 нФVds = 25V | 8.41 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <70 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5.5 мОмId, Vgs = 70A, 10V | <5 мОмId, Vgs = 70A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | |
Заряд затвора | QG | 128 нCVgs = 10V | 338 нCVgs = 20V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |