FDB7030

FDB7030, FDB7030BL, FDB7030L, FDB7030L_L86Z

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDB7030BLFDB7030LFDB7030L_L86Z
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<60 Вт<68 Вт<68 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.76 нФVds = 15V2.44 нФVds = 15V2.44 нФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<60 А<80 А<80 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<9 мОмId, Vgs = 30A, 10V<7 мОмId, Vgs = 40A, 10V<7 мОмId, Vgs = 40A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
24 нCVgs = 5V33 нCVgs = 5V33 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate