На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDB6670AL | FDB6670AS | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <68 Вт | <62.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.44 нФVds = 15V | 1.57 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | <62 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <8.5 мОмId, Vgs = 31A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | |
Заряд затвора | QG | 33 нCVgs = 5V | 39 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |