FDB3652

FDB3652, FDB3652_F085

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDB3652_F085
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<150 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.88 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<61 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<16 мОмId, Vgs = 61A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
53 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard