FDB13AN06

FDB13AN06, FDB13AN06A0

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDB13AN06A0
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<115 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.35 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<62 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<13.5 мОмId, Vgs = 62A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PowerTrench®
Заряд затвора
QG
29 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard