На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDB12N50FTM_WS | FDB12N50TM | FDB12N50UTM_WS | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <165 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.395 нФVds = 25V | 1.315 нФVds = 25V | 1.395 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <11.5 А | <11.5 А | <10 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <700 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <650 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | UniFET™ | UniFET™ | UltraFRFET™ |
Заряд затвора | QG | 30 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||