FDA2712

FDA2712

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFDA2712
Корпус микросхемы
Корпус
TO-3PN-3
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<357 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
10.175 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<250 В
Постоянный ток стока
IDSS
<64 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<34 мОмId, Vgs = 40A, 10V
Серия MOSFET
Серия
UltraFET™
Заряд затвора
QG
129 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard