На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FDA20N50F | FDA20N50_F109 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3PN-3 | TO-3P-3 (Straight Leads), TO-3P |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <388 Вт | <280 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.39 нФVds = 25V | 3.12 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <22 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <260 мОмId, Vgs = 11A, 10V | <230 мОмId, Vgs = 11A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | UniFET™ | |
Заряд затвора | QG | 65 нCVgs = 10V | 59.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |