FCP13N60N

FCP13N60, FCP13N60N

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрFCP13N60N
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<116 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.765 нФVds = 100V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<13 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<258 мОмId, Vgs = 6.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
SuperMOS™
Заряд затвора
QG
39.5 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard