На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FCD7N60TF | FCD7N60TM | FCD7N60TM_WS | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <83 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 920 пФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <7 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <600 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | SuperFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 30 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||