DMP3030

DMP3030, DMP3030SN-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMP3030SN-7
Корпус микросхемы
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<500 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
160 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<700 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<250 мОмId, Vgs = 400mA, 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate