DMP3015

DMP3015, DMP3015LSS-13

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMP3015LSS-13
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.748 нФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<13 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<11 мОмId, Vgs = 13A, 10V
Заряд затвора
QG
60.4 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate