На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMN3150L-7 | DMN3150LW-7 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.25 Вт | <350 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 305 пФVds = 5V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <28 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.2 А | <1.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <85 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V | <88 мОмId, Vgs = 1.6A, 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |