На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMN3052L-7 | DMN3052LSS-13 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | 8-SOP |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.4 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 555 пФVds = 5V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <5.4 А | <7.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <32 мОмId, Vgs = 5.8A, 10V | <30 мОмId, Vgs = 7.1A, 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |