DMN3033LDM-7

DMN3033, DMN3033LDM-7, DMN3033LSN-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMN3033LDM-7DMN3033LSN-7
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-26SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2 Вт<1.4 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
755 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6.9 А<6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<33 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V<30 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Заряд затвора
QG
13 нCVgs = 10V10.5 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate