На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMN26D0UFB4-7 | DMN26D0UT-7 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-523 | |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <350 мВт | <300 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 14.1 пФVds = 15V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <230 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3 ОмId, Vgs = 100mA, 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |