На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMN2005K-7 | DMN2005LP4K-7 | DMN2005LPK-7 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | 3-DFN | 3-DFN |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <350 мВт | <200 мВт | <450 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | (не задано) | 41 пФVds = 3V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <300 мА | <200 мА | <440 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.7 ОмId, Vgs = 200mA, 2.7V | <1.5 ОмId, Vgs = 10mA, 4V | <1.5 ОмId, Vgs = 10mA, 4V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||