DMG6402

DMG6402, DMG6402LDM-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMG6402LDM-7
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-26
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.12 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
404 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<5.3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<27 мОмId, Vgs = 7A, 10V
Заряд затвора
QG
9.2 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate