На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | DMG4800LFG-7 | DMG4800LK3-13 | |
|---|---|---|---|
Производитель | Производитель | Diodes Inc | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <940 мВт | <1.71 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 798 пФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <7.44 А | <10 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <17 мОмId, Vgs = 9A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 9.47 нCVgs = 5V | 8.7 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |