DMG4468

DMG4468, DMG4468LFG, DMG4468LK3-13

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрDMG4468LFGDMG4468LK3-13
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<990 мВт<1.68 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
867 пФVds = 10V867 пФVds = 15V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7.62 А<9.7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<15 мОмId, Vgs = 11.6A, 10V<16 мОмId, Vgs = 11.6A, 10V
Заряд затвора
QG
18.85 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate