На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | CSD25301W1015 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DSBGA |
Производитель | Производитель | Texas Instruments |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 270 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.2 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | NexFET™ |
Заряд затвора | QG | 2.5 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |