На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | CSD16325Q5 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SON |
Производитель | Производитель | Texas Instruments |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <3.1 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4 нФVds = 12.5V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2 мОмId, Vgs = 30A, 8V |
Серия MOSFET | Серия | NexFET™ |
Заряд затвора | QG | 25 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |