BUZ30A

BUZ30, BUZ30A, BUZ30AE3045A, BUZ30AL3045A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUZ30ABUZ30AE3045ABUZ30AL3045A
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220ABTO-220ABD²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<125 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.9 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<200 В
Постоянный ток стока
IDSS
<21 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<130 мОмId, Vgs = 13.5A, 10V
Серия MOSFET
Серия
SIPMOS®
FET Feature
FET Feature
Standard