На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BUK9E04-30B,127 | BUK9E04-40A,127 | BUK9E06-55A,127 | BUK9E06-55B,127 | BUK9E08-55B,127 | BUK9E3R2-40B,127 | BUK9E4R4-40B,127 | BUK9Y11-30B,115 | BUK9Y14-40B,115 | BUK9Y19-55B,115 | BUK9Y30-75B,115 | BUK9Y40-55B,115 | BUK9Y53-100B,115 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab) | I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab) | I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab) | I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab) | I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab) | I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab) | I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab) | LFPak-4 | LFPak-4 | LFPak-4 | LFPak-4 | LFPak-4 | LFPak-4 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <254 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <258 Вт | <203 Вт | <300 Вт | <254 Вт | <75 Вт | <85 Вт | <85 Вт | <85 Вт | <59 Вт | <75 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6.526 нФVds = 25V | 8.26 нФVds = 25V | 8.6 нФVds = 25V | 7.565 нФVds = 25V | 5.28 нФVds = 25V | 10.502 нФVds = 25V | 7.124 нФVds = 25V | 1.614 нФVds = 25V | 1.8 нФVds = 25V | 1.992 нФVds = 25V | 2.07 нФVds = 25V | 1.02 нФVds = 25V | 2.13 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | <40 В | <55 В | <55 В | <55 В | <40 В | <40 В | <30 В | <40 В | <55 В | <75 В | <55 В | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <75 А | <75 А | <75 А | <75 А | <75 А | <100 А | <75 А | <59 А | <56 А | <46 А | <34 А | <26 А | <23 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <5.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <5.4 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <7 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <2.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <17.3 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <28 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <36 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <49 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ | ||||||||||||
Заряд затвора | QG | 56 нCVgs = 5V | 128 нCVgs = 5V | (не задано) | 60 нCVgs = 5V | 45 нCVgs = 5V | 94 нCVgs = 5V | 64 нCVgs = 5V | 16.5 нCVgs = 5V | 21 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 5V | 19 нCVgs = 5V | 11 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||||||||