BUK7C08-55AITE,118

BUK7, BUK7C06-40AITE,118, BUK7C08-55AITE,118, BUK7C10-75AITE,118, BUK7E04-40A,127, BUK7E07-55B,127, BUK7E11-55B,127, BUK7E2R3-40C,127, BUK7E2R7-30B,127, BUK7E4R3-75C,127, BUK7L06-34ARC,127, BUK7L11-34ARC,127, BUK7Y13-40B,115

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BUK7C06-40AITE,118	BUK7C08-55AITE,118	BUK7C10-75AITE,118	BUK7E04-40A,127	BUK7E07-55B,127	BUK7E11-55B,127	BUK7E2R3-40C,127	BUK7E2R7-30B,127	BUK7E4R3-75C,127	BUK7L06-34ARC,127	BUK7L11-34ARC,127	BUK7Y13-40B,115
Корпус микросхемы	Корпус	D²Pak, TO-263 (6 leads + tab)	D²Pak, TO-263 (6 leads + tab)	D²Pak, TO-263 (6 leads + tab)	I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab)	I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab)	I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab)	I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab)	I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab)	I²Pak, TO-220AB (3 straight leads + tab)	TO-220	TO-220	LFPak-4
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	Поверхностный
Мощность	P	<272 Вт	<272 Вт	<272 Вт	<300 Вт	<203 Вт	<157 Вт	<333 Вт	<300 Вт	<333 Вт	<250 Вт	<172 Вт	<85 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	4.3 нФVds = 25V	4.2 нФVds = 25V	4.7 нФVds = 25V	5.73 нФVds = 25V	3.76 нФVds = 25V	2.604 нФVds = 25V	11.323 нФVds = 25V	6.212 нФVds = 25V	11.659 нФVds = 25V	4.533 нФVds = 25V	2.506 нФVds = 25V	1.311 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<40 В	<55 В	<75 В	<40 В	<55 В	<55 В	<40 В	<30 В	<75 В	<34 В	<34 В	<40 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<100 А	<75 А	<100 А	<75 А	<75 А	<58 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<6 мОмId, Vgs = 50A, 10V	<8 мОмId, Vgs = 50A, 10V	<10 мОмId, Vgs = 50A, 10V	<4.5 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<7.1 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<11 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<2.3 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<2.7 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<4.3 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<6 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<11 мОмId, Vgs = 30A, 10V	<13 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серия MOSFET	Серия	(не задано)	(не задано)	(не задано)	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™
Заряд затвора	Q_G	120 нCVgs = 10V	116 нCVgs = 10V	121 нCVgs = 10V	117 нCVgs = 10V	53 нCVgs = 10V	37 нCVgs = 10V	175 нCVgs = 10V	91 нCVgs = 10V	142 нCVgs = 10V	82 нCVgs = 10V	53 нCVgs = 10V	19 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Current Sensing	Current Sensing	Current Sensing	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard