BUK762R7-30B,118

BUK762, BUK762R0-40C,118, BUK762R7-30B,118

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUK762R0-40C,118BUK762R7-30B,118
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<333 Вт<300 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
11.323 нФVds = 25V6.212 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<40 В<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<100 А<75 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2 мОмId, Vgs = 25A, 10V<2.7 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серия MOSFET
Серия
TrenchMOS™
Заряд затвора
QG
175 нCVgs = 10V91 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard