BUK714R1-40BT,118

BUK714, BUK714R1-40BT,118

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBUK714R1-40BT,118
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (4 leads + tab)
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<272 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
6.808 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<40 В
Постоянный ток стока
IDSS
<75 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<4.1 мОмId, Vgs = 50A, 10V
Серия MOSFET
Серия
TrenchMOS™
Заряд затвора
QG
83 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Diode (Isolated)