BTS282Z

BTS282, BTS282Z, BTS282ZE3180A, BTS282ZE3230

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBTS282ZBTS282ZE3180ABTS282ZE3230
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-7
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<300 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.8 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<49 В
Постоянный ток стока
IDSS
<80 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<6.5 мОмId, Vgs = 36A, 10V
Серия MOSFET
Серия
TEMPFET®
Заряд затвора
QG
232 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate