BTS115A

BTS115, BTS115A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBTS115A
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220AB
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<50 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
735 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<50 В
Постоянный ток стока
IDSS
<15.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<120 мОмId, Vgs = 7.8A, 4.5V
Серия MOSFET
Серия
TEMPFET®
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate