BSZ100N03LSG

BSZ100, BSZ100N03LSG, BSZ100N03MSG, BSZ100N06LS3G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBSZ100N03LSGBSZ100N03MSGBSZ100N06LS3G
Корпус микросхемы
Корпус
8-TSDSONTDSON-88-TSDSON
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<30 Вт<30 Вт<50 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.5 нФVds = 15V1.7 нФVds = 15V3.5 нФVds = 30V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В<30 В<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<40 А<40 А<20 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<10 мОмId, Vgs = 20A, 10V<9.1 мОмId, Vgs = 20A, 10V<10 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Серия MOSFET
Серия
OptiMOS™
Заряд затвора
QG
17 нCVgs = 10V23 нCVgs = 10V45 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate