На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSP149E6327 | BSP149E6906 | BSP149L6327 | BSP149L6906 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <1.8 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 430 пФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <660 мА | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.8 ОмId, Vgs = 660mA, 10v | |||
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | |||
Заряд затвора | QG | 14 нCVgs = 5V | |||
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | |||