На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSP135E6327 | BSP135E6906 | BSP135L6327 | BSP135L6433 | BSP135L6906 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <1.8 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 146 пФVds = 25V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <120 мА | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <45 ОмId, Vgs = 120mA, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | OptiMOS™ | SIPMOS® |
Заряд затвора | QG | 4.9 нCVgs = 5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | ||||