На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSO200N03S | BSO200P03S | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DSO-8 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.56 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 840 пФVds = 15V | 2.33 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <7 А | <7.4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 8.8A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 6.5 нCVgs = 5V | 54 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |