На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSL802SNL6327 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-TSOP |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.347 нФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <7.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <22 мОмId, Vgs = 7.5A, 2.5V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ |
Заряд затвора | QG | 4.7 нCVgs = 2.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |