На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSL211SP | BSL211SPL6327 | BSL211SPT | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-TSOP | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <2 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 654 пФVds = 15V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <4.7 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <67 мОмId, Vgs = 4.7A, 4.5V | ||
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 12.4 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||