На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC100N03LSG | BSC100N03MSG | BSC100N06LS3G | BSC100N10NSFG | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | |||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <30 Вт | <30 Вт | <50 Вт | <156 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.5 нФVds = 15V | 1.7 нФVds = 15V | 3.5 нФVds = 30V | 2.9 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | <30 В | <60 В | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <44 А | <44 А | <50 А | <90 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |||
Заряд затвора | QG | 17 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V | 44 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |