На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC080N03LSG | BSC080N03MSG | BSC080P03LSG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <35 Вт | <35 Вт | <89 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.7 нФVds = 15V | 2.1 нФVds = 15V | 6.14 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <53 А | <53 А | <30 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | N-ch | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 30A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 21 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 122.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||