На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC079N03SG | BSC079N10NSG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <60 Вт | <156 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.23 нФVds = 15V | 5.9 нФVds = 50V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | <100 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <40 А | <100 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <7.9 мОмId, Vgs = 40A, 10V | <7.9 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 17 нCVgs = 5V | 87 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |