На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSC042N03LSG | BSC042N03MSG | BSC042N03SG | BSC042N03ST | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TDSON-8 | |||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <57 Вт | <57 Вт | <62.5 Вт | <62.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.5 нФVds = 15V | 4.3 нФVds = 15V | 3.66 нФVds = 15V | 3.66 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <93 А | <93 А | <95 А | <50 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |||
Заряд затвора | QG | 42 нCVgs = 10V | 55 нCVgs = 10V | 28 нCVgs = 5V | 28 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||